L2SC3838NLT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

L2SC3838NLT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: L2SC3838NLT1G
   Маркировка: APN
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для L2SC3838NLT1G

 

L2SC3838NLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  lrc
 l2sc3838nlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838NLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) 3 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V 20 V CBO

 6.1. Size:78K  lrc
 l2sc3838qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838QLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838QLT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 4.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AE

 6.2. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.3. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g l2sc3838lt3g.pdf pdf_icon

L2SC3838NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... L2SC2412KRLT1G , L2SC2412KRMT1G , L2SC2412KSLT1G , L2SC2412KSMT1G , L2SC3356LT1G , L2SC3356WT1G , L2SC3837LT1G , L2SC3838LT1G , A1013 , L2SC4081QT1G , L2SC4081RT1G , L2SC4081ST1G , L2SC4083NWT1G , L2SC4083PT1G , L2SC4083PWT1G , L2SC4083QWT1G , L2SC4617QT1G .

History: MT0413 | DTA024EUB | 2SC3469 | DDTA114YUA

 

 
Back to Top

 


 
.