L2SC4083PWT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SC4083PWT1G

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC70

 Аналоги (замена) для L2SC4083PWT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC4083PWT1G даташит

 ..1. Size:170K  lrc
 l2sc4083pwt1g l2sc4083pwt1g.pdf pdf_icon

L2SC4083PWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SC4083PWT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 Ordering Information 2 Device Marking Shipping L2SC4083PWT1G

 ..2. Size:170K  lrc
 l2sc4083pwt1g.pdf pdf_icon

L2SC4083PWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SC4083PWT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 Ordering Information 2 Device Marking Shipping L2SC4083PWT1G

 5.1. Size:513K  lrc
 l2sc4083pt1g.pdf pdf_icon

L2SC4083PWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier L2SC4083NT1G Transistor Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L2SC4083NT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering Information Device Marking Shipping L2SC4083NT1G 3000

 6.1. Size:174K  lrc
 l2sc4083nwt1g.pdf pdf_icon

L2SC4083PWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC4083NWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SC4083NWT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 Ordering Information 2 Device Marking Shipping L2SC4083NWT1G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SC3837LT1G, L2SC3838LT1G, L2SC3838NLT1G, L2SC4081QT1G, L2SC4081RT1G, L2SC4081ST1G, L2SC4083NWT1G, L2SC4083PT1G, D209L, L2SC4083QWT1G, L2SC4617QT1G, L2SC4617RT1G, L2SC4617ST1G, L2SC5635WT1G, L2SC5658QM3T5G, L2SC5658RM3T5G, L2SD1781KRLT1G