Биполярный транзистор L2SC4083QWT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: L2SC4083QWT1G
Маркировка: 4Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC70
Аналоги (замена) для L2SC4083QWT1G
L2SC4083QWT1G Datasheet (PDF)
l2sc4083qwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistorL2SC4083QWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SC4083QWT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 31Ordering Information2Device Marking ShippingL2SC4083QWT1G
l2sc4083pt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierL2SC4083NT1GTransistor Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L2SC4083NT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.Ordering InformationDevice Marking ShippingL2SC4083NT1G3000
l2sc4083nwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistorL2SC4083NWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SC4083NWT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 31Ordering Information2Device Marking ShippingL2SC4083NWT1G
l2sc4083pwt1g l2sc4083pwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistorL2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SC4083PWT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 31Ordering Information2Device Marking ShippingL2SC4083PWT1G
l2sc4083pwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistorL2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SC4083PWT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 31Ordering Information2Device Marking ShippingL2SC4083PWT1G
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050