L2SD882P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SD882P

Маркировка: 82P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для L2SD882P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD882P даташит

 7.1. Size:132K  lrc
 l2sd882q.pdf pdf_icon

L2SD882P

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB882Q L2SB882P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB882Q 82Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB882P 82P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

Другие транзисторы: L2SC4617RT1G, L2SC4617ST1G, L2SC5635WT1G, L2SC5658QM3T5G, L2SC5658RM3T5G, L2SD1781KRLT1G, L2SD2114KVLT1G, L2SD2114KWLT1G, BC556, L2SD882Q, L8050HPLT1G, L8050HQLT1G, L8050HRLT1G, L8050PLT1G, L8050QLT1G, L8550HPLT1G, L8550HQLT1G