L9012RLT1G datasheet, аналоги, параметры транзистора

L9012RLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L9012RLT1G 📄📄

Маркировка: 12R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для L9012RLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

L9012RLT1G даташит

..1. Size:75K lrc
l9012plt1g l9012qlt1g l9012rlt1g l9012slt1g.pdf pdf_icon

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9012PLT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

..2. Size:79K lrc
l9012plt1g l9012plt3g l9012qlt1g l9012qlt3g l9012rlt1g l9012rlt3g l9012slt1g l9012slt3g l9012rlt3g.pdf pdf_icon

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L9012PLT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

..3. Size:75K lrc
l9012plt1g l9012plt3g l9012qlt1g l9012qlt3g l9012rlt1g l9012rlt3g l9012slt1g l9012slt3g.pdf pdf_icon