Биполярный транзистор LBC817-16WT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LBC817-16WT1G
Маркировка: 6A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC70
Аналог (замена) для LBC817-16WT1G
LBC817-16WT1G Datasheet (PDF)
lbc817-16wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LBC817-16WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-LBC817-16WT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage V
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
lbc817-16dmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DMT
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g lbc817-16dpmt3g lbc817-25dpmt3g lbc817-40dpmt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
Другие транзисторы... L9015SLT1G , LBC807-16LT1G , LBC807-16WT1G , LBC807-25LT1G , LBC807-25WT1G , LBC807-40LT1G , LBC807-40WT1G , LBC817-16LT1G , A1015 , LBC817-25DPMT1G , LBC817-25LT1G , LBC817-25WT1G , LBC817-40LT1G , LBC817-40WT1G , LBC846ALT1G , LBC846AWT1G , LBC846BDW1T1G .
History: 2SC3134H4
History: 2SC3134H4



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194