LBC817-25LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LBC817-25LT1G
Маркировка: 6B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LBC817-25LT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LBC817-25LT1G даташит
lbc817-16lt1g lbc817-25lt1g lbc817-40lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC817-16LT1G LBC817-25LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LBC817-40LT1G 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Collector Emitter Voltage V CEO 45 V 2 Collector Base Voltage V CBO 50 V SOT 23 Emitter Base Voltage V EBO 5.0 V Collector Current Contin
lbc817-25lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LBC817-16LT1G LBC817-25LT1G General Purpose Transistors LBC817-40LT1G NPN Silicon S-LBC817-16LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC817-25LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-40LT1G 3 MA
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors LBC817-16DPMT1G LBC817-25DPMT1G NPN/PNP Duals LBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-25DPMT1G S-LBC
lbc817-25dpmt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors LBC817-16DPMT1G LBC817-25DPMT1G NPN/PNP Duals LBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-25DPMT1G S-LBC
Другие транзисторы: LBC807-16WT1G, LBC807-25LT1G, LBC807-25WT1G, LBC807-40LT1G, LBC807-40WT1G, LBC817-16LT1G, LBC817-16WT1G, LBC817-25DPMT1G, BC337, LBC817-25WT1G, LBC817-40LT1G, LBC817-40WT1G, LBC846ALT1G, LBC846AWT1G, LBC846BDW1T1G, LBC846BLT1G, LBC846BPDW1T1G
History: 2N1658A-13 | 2N179 | 2N1655
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440







