LBC817-40WT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LBC817-40WT1G
Маркировка: YM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250
Корпус транзистора: SC70
Аналоги (замена) для LBC817-40WT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LBC817-40WT1G даташит
lbc817-40wt1g lbc817-40wt3g.pdf
LBC817-40WT1G S-LBC817-40WT1G NPN Silicon General Purpose Transistors 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Devic
lbc817-40wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LBC817-40WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-40WT1G 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector Emit
lbc817-40dmt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LBC817-16DMT1G LBC817-25DMT1G Dual General Purpose Transistors LBC817-40DMT1G NPN Duals S-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC817-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-40DM
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors LBC817-16DPMT1G LBC817-25DPMT1G NPN/PNP Duals LBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC817-25DPMT1G S-LBC
Другие транзисторы: LBC807-40LT1G, LBC807-40WT1G, LBC817-16LT1G, LBC817-16WT1G, LBC817-25DPMT1G, LBC817-25LT1G, LBC817-25WT1G, LBC817-40LT1G, TIP122, LBC846ALT1G, LBC846AWT1G, LBC846BDW1T1G, LBC846BLT1G, LBC846BPDW1T1G, LBC846BWT1G, LBC847ALT1G, LBC847AWT1G
History: 2SA1537E | 2SB1201S | BTNA14A3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75








