LBC848BLT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LBC848BLT1G
Маркировка: 1K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LBC848BLT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LBC848BLT1G даташит
lbc848blt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C
lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g lbc848blt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C
lbc846alt1g lbc846blt1g lbc847alt1g lbc847blt1g lbc847clt1g lbc848alt1g lbc848blt1g lbc848clt1g lbc849blt1g lbc849clt1g lbc850blt1g lbc850clt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V S-LBC846ALT1G ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chan
lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC846ALT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc SOT 23 LBC846 6
Другие транзисторы: LBC847BPDW1T1G, LBC847BTT1G, LBC847BWT1G, LBC847CDW1T1G, LBC847CLT1G, LBC847CWT1G, LBC848ALT1G, LBC848BDW1T1G, A733, LBC848BPDW1T1G, LBC848BWT1G, LBC848CDW1T1G, LBC848CLT1G, LBC848CPDW1T1G, LBC848CWT1G, LBC850BLT1G, LBC850BWT1G
History: LMBT6427LT1G | 2SA1329O | LMBT2222ADW1T1G | ZT2368 | LMBT6517LT1G | 2SC319 | 2SB1195
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor













