Справочник транзисторов. LH8550QLT1G

 

Биполярный транзистор LH8550QLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LH8550QLT1G
   Маркировка: KIY
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT23
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LH8550QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550plt3g lh8550qlt1g lh8550qlt3g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..2. Size:138K  lrc
 lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..3. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 8.1. Size:157K  lrc
 lh8550plt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , LX8050QLT1G , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , 2SD2499 , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G , LBC856BDW1T1G , LBC856BLT1G , LBC856BWT1G , LBC857ALT1G .

History: 2SC3382R | BC559BTA

 

 
Back to Top

 


 
.