LH8550QLT1G - описание и поиск аналогов

 

LH8550QLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LH8550QLT1G

Маркировка: KIY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LH8550QLT1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LH8550QLT1G даташит

 ..1. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550plt3g lh8550qlt1g lh8550qlt3g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..2. Size:138K  lrc
 lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..3. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 8.1. Size:157K  lrc
 lh8550plt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , LX8050QLT1G , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , TIP31 , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G , LBC856BDW1T1G , LBC856BLT1G , LBC856BWT1G , LBC857ALT1G .

History: PMP5501V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.