Биполярный транзистор LMBTH10LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBTH10LT1G
Маркировка: 3EM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
LMBTH10LT1G Datasheet (PDF)
lmbth10lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.Ordering Information S-LMBTH10LT1GDevice Marking ShippingLMBTH10LT1G33000/Tape&Reel3EMS-LMBTH10LT1
lmbth10lt1g lmbth10lt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.Ordering Information S-LMBTH10LT1GDevice Marking ShippingLMBTH10LT1G33000/Tape&Reel3EMS-LMBTH10LT1
lmbth10qlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.LMBTH10QLT1GOrdering InformationS-LMBTH10QLT1GDevice Marking ShippingLMBTH10QLT1G3000/Tape&Reel3EQ3S-LMBTH1
lmbth10wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsFeatruesLMBTH10WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTH10WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATION1Device Marking Shipping2LMBTH10WT1G3E 3000/Tape&Reel
Другие транзисторы... LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , LX8050QLT1G , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , LH8050QLT1G , LH8550QLT1G , 2SC945 , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G , LBC856BDW1T1G , LBC856BLT1G , LBC856BWT1G , LBC857ALT1G , LBC857AWT1G .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n