2N649 - описание и поиск аналогов

 

2N649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N649

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2N649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N649 даташит

 ..1. Size:231K  rca
2n649.pdfpdf_icon

2N649

 0.1. Size:97K  1
2n6354 2n6496.pdfpdf_icon

2N649

 0.2. Size:151K  motorola
2n6487 2n6488 2n6490 2n6491.pdfpdf_icon

2N649

Order this document MOTOROLA by 2N6487/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N6487 Complementary Silicon Plastic Power Transistors * 2N6488 PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. DC Current Gain Specified to 15 Amperes 2N6490 hFE = 20 150 @ IC = 5.0 Adc hFE = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc 2N6491* Collector Emitter Sustaining

 0.3. Size:148K  motorola
2n6497 2n6498.pdfpdf_icon

2N649

Order this document MOTOROLA by 2N6497/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6497 2N6498* High Voltage NPN Silicon Power *Motorola Preferred Device Transistors 5 AMPERE . . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated POWER TRANSISTORS amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications. NPN SILICON High Collecto

Другие транзисторы: 2N6479, 2N6480, 2N6481, 2N6482, 2N6486, 2N6487, 2N6488, 2N6489, 2SD669A, 2N6490, 2N6491, 2N6492, 2N649-22, 2N6493, 2N6494, 2N6495, 2N649-5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.