LMBTA42LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBTA42LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBTA42LT1G

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBTA42LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBTA42LT1G даташит

 ..1. Size:390K  lrc
lmbta42lt1g lmbta42lt3g lmbta43lt1g lmbta43lt3g.pdfpdf_icon

LMBTA42LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Package Shipping S-LMB

 ..2. Size:390K  lrc
lmbta42lt1g lmbta43lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA42LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Package Shipping S-LMB

 ..3. Size:390K  lrc
lmbta42lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA42LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBTA42LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Package Shipping S-LMB

 8.1. Size:94K  lrc
lmbta44lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA42LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LMBTA44LT1G LMBTA44LT1G S-LMBTA44LT1G NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 Description The LMBTA44LT1G is designed for application 1 that requires high voltage. 2 Features High Breakdown Voltage VCEO=400(Min.) at IC=1mA SOT 23 Complementary to LMBTA94LT1G S- Prefix

Другие транзисторы: LBC858BLT1G, LBC858BWT1G, LBC858CDW1T1G, LBC858CLT1G, LMBTA05LT1G, LMBTA06LT1G, LMBTA13LT1G, LMBTA14LT1G, 2SA1015, LMBTA44LT1G, LMBTA55LT1G, LMBTA56LT1G, LMBTA64LT1G, LMBTA92LT1G, LMBTA94LT1G, LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.