LMBTA55LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBTA55LT1G
Маркировка: 2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBTA55LT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBTA55LT1G даташит
lmbta55lt1g lmbta56lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G We declare that the material of product LMBTA56LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1G Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS 3 Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni
lmbta55lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G We declare that the material of product LMBTA56LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1G Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS 3 Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni
lmbta56wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55WT1G LMBTA56WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA55WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA56WT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 U
lmbta56lt1g lmbta56lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA56LT1G FEATURES S-LMBTA56LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT 23 DEVICE MARKING AND ORDERING
Другие транзисторы: LBC858CDW1T1G, LBC858CLT1G, LMBTA05LT1G, LMBTA06LT1G, LMBTA13LT1G, LMBTA14LT1G, LMBTA42LT1G, LMBTA44LT1G, BC639, LMBTA56LT1G, LMBTA64LT1G, LMBTA92LT1G, LMBTA94LT1G, LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G, LMBT5087LT1G, LMBT5401DW1T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent





