LMBTA55LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBTA55LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBTA55LT1G

Маркировка: 2H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBTA55LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBTA55LT1G даташит

 ..1. Size:85K  lrc
lmbta55lt1g lmbta56lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA55LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G We declare that the material of product LMBTA56LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1G Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS 3 Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni

 ..2. Size:85K  lrc
lmbta55lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA55LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G We declare that the material of product LMBTA56LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1G Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS 3 Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni

 8.1. Size:126K  lrc
lmbta56wt1g.pdfpdf_icon

LMBTA55LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55WT1G LMBTA56WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA55WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA56WT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 U

 8.2. Size:600K  lrc
lmbta56lt1g lmbta56lt3g.pdfpdf_icon

LMBTA55LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA56LT1G FEATURES S-LMBTA56LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT 23 DEVICE MARKING AND ORDERING

Другие транзисторы: LBC858CDW1T1G, LBC858CLT1G, LMBTA05LT1G, LMBTA06LT1G, LMBTA13LT1G, LMBTA14LT1G, LMBTA42LT1G, LMBTA44LT1G, BC639, LMBTA56LT1G, LMBTA64LT1G, LMBTA92LT1G, LMBTA94LT1G, LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G, LMBT5087LT1G, LMBT5401DW1T1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.