Справочник транзисторов. LMBT2516QLT1G

 

Биполярный транзистор LMBT2516QLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT2516QLT1G
   Маркировка: 1GD
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2516QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  lrc
lmbt2516qlt1g.pdfpdf_icon

LMBT2516QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLMBT2516QLT1GSeriesPNP Silicon3FEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.1 NPN complement: LMBT2506QLT1G2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONCOLLECTORDevice Marking Shipping 3LMBT2516PLT1G1GB

 8.1. Size:106K  lrc
lmbt2506qlt1g.pdfpdf_icon

LMBT2516QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLMBT2506QLT1GSeriesNPN Silicon3FEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.1 PNP complement: LMBT2516QLT1G2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONCOLLECTORDevice Marking Shipping3LMBT2506PLT1G1GA

 9.1. Size:475K  lrc
lmbt2907lt1g lmbt2907alt1g.pdfpdf_icon

LMBT2516QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorPNP SiliconLMBT2907LT1GLMBT2907ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LMBT2907LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBT2907ALT1G3ORDERING INFORMATION1Device Marki

 9.2. Size:631K  lrc
lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdfpdf_icon

LMBT2516QLT1G

LMBT2222ALT1GS-LMBT2222ALT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDev

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top

 


 
.