LMBT5401DW1T1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT5401DW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT5401DW1T1G

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SC88

 Аналоги (замена) для LMBT5401DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT5401DW1T1G даташит

 ..1. Size:212K  lrc
lmbt5401dw1t1g lmbt5401dw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT5401DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5401DW1T1G FEATURE S-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 5 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4 De

 ..2. Size:212K  lrc
lmbt5401dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT5401DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5401DW1T1G FEATURE S-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 5 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4 De

 6.1. Size:122K  lrc
lmbt5401lt1g.pdfpdf_icon

LMBT5401DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G

 6.2. Size:122K  lrc
lmbt5401lt1g lmbt5401lt3g.pdfpdf_icon

LMBT5401DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G

Другие транзисторы: LMBTA55LT1G, LMBTA56LT1G, LMBTA64LT1G, LMBTA92LT1G, LMBTA94LT1G, LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G, LMBT5087LT1G, 431, LMBT5401LT1G, LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.