LMBT3904DW1T1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT3904DW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT3904DW1T1G

Маркировка: MA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88

 Аналоги (замена) для LMBT3904DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3904DW1T1G даташит

 ..1. Size:554K  lrc
lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T1G

LMBT3904DW1T1G S-LMBT3904DW1T1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. Low VCE(sat), 0.4 V Simplifi

 ..2. Size:506K  lrc
lmbt3904dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors The LMBT3904DW1T1G device is a spin off of our popular LMBT3904DW1T1G SOT 23/SOT 323 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT 363 S-LMBT3904DW1T1G six leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package , this device is ideal fo

 6.1. Size:414K  lrc
lmbt3904n3t5g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T1G

LMBT3904N3T5G S-LMBT3904N3T5G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT883 qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Mar

 6.2. Size:590K  lrc
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES LMBT3904LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. S-LMBT3904LT1G 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALU

Другие транзисторы: LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, 2N3904, LMBT3904LT1G, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, LMBT3906DW1T1G, LMBT3906LT1G, LMBT3906TT1G, LMBT3906WT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.