LMBT3906DW1T1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT3906DW1T1G
Маркировка: A2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для LMBT3906DW1T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT3906DW1T1G даташит
lmbt3906n3t5g.pdf
LMBT3906N3T5G 3 S-LMBT3906N3T5G 1 General Purpose Transistors PNP Silicon 2 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with SOT883 RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR 3 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INF
lmbt3906lt1g lmbt3906lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906LT1G ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping LMBT3906LT1G 2A 3000
lmbt3906wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT3906WT1G FEATURES S-LMBT3906WT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING I
Другие транзисторы: LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, LMBT3904LT1G, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, 2N5401, LMBT3906LT1G, LMBT3906TT1G, LMBT3906WT1G, LMBT3908LT1G, LMBT4401DW1T1G, LMBT4401LT1G, LMBT4401WT1G, LMBT4403DW1T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet








