LMBT3906TT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT3906TT1G
Маркировка: 2A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SC89
Аналоги (замена) для LMBT3906TT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT3906TT1G даташит
lmbt3906tt1g lmbt3906tt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906TT1G ORDERING INFORMATION Device Mark
lmbt3906tt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906TT1G ORDERING INFORMATION Device Mark
lmbt3906n3t5g.pdf
LMBT3906N3T5G 3 S-LMBT3906N3T5G 1 General Purpose Transistors PNP Silicon 2 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with SOT883 RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR 3 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INF
lmbt3906lt1g lmbt3906lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906LT1G ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping LMBT3906LT1G 2A 3000
Другие транзисторы: LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, LMBT3904LT1G, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, LMBT3906DW1T1G, LMBT3906LT1G, BC548, LMBT3906WT1G, LMBT3908LT1G, LMBT4401DW1T1G, LMBT4401LT1G, LMBT4401WT1G, LMBT4403DW1T1G, LMBT4403LT1G, LMBT4403WT1G
History: 2N2904
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet








