2N2222AE - описание и поиск аналогов

 

2N2222AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2222AE

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SC89

 Аналоги (замена) для 2N2222AE

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2222AE даташит

 ..1. Size:462K  first silicon
2n2222ae.pdfpdf_icon

2N2222AE

SEMICONDUCTOR 2N2222AE TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SC-89 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-89 ORDERING INFORMATION COLLECTOR

 7.1. Size:238K  motorola
mtp2n2222a p2n2222a.pdfpdf_icon

2N2222AE

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29 04, STYLE 17 Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Current Conti

 7.2. Size:53K  philips
2n2222 2n2222a cnv 2.pdfpdf_icon

2N2222AE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2222; 2N2222A NPN switching transistors 1997 May 29 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V). 1 emitte

 7.3. Size:1138K  st
2n2222ahr.pdfpdf_icon

2N2222AE

2N2222AHR Hi-Rel 40 V, 0.8 A NPN transistor Datasheet - production data Features Parameter ESCC JANS 1 2 BVCEO min 40 V 50 V 3 IC (max) 0.8 A TO-18 3 3 hFE at 10 V - 150 mA 100 4 1 1 2 2 Hermetic packages LCC-3 UB ESCC and JANS qualified Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. Up to 100 krad(Si) low dose ratee Description Figure 1. Internal schematic

Другие транзисторы... LMBT4403WT1G , LMBT4413DW1T1G , LNST3904F3T5G , LNST3906F3T5G , S8050LT1 , S8550LT1 , S9018LT1 , 2SC9013 , A1941 , 2N2222AS , 2N2222AU , 2N2907AS , 2N2907AU , BC807S , BC817S , BC847E , DTA201 .

History: 2SD2173 | BC373-40

 

 

 

 

↑ Back to Top
.