Справочник транзисторов. BC807S

 

Биполярный транзистор BC807S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC807S
   Маркировка: 5A1_H5B_5C1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC807S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  first silicon
bc807s.pdfpdf_icon

BC807S

SEMICONDUCTORBC807STECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURECollector current capability IC = -800 mA.3Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V.General purpose switching and amplification.2NPN complement : BC817 Series.1SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking ShippingBC807S-A 5A1 3000/Tape&ReelBC807S-B H5B 3000/Tape&Re

 9.1. Size:90K  motorola
bc807-16 bc807–25 bc807–40.pdfpdf_icon

BC807S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC80716LT1/DBC807-16LT1General Purpose TransistorsPNP SiliconBC807-25LT1COLLECTOR3BC807-40LT12BASE13EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 45 VCollectorBase Voltage VCBO 50 V CASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltag

 9.2. Size:52K  philips
bc807 3.pdfpdf_icon

BC807S

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BC807PNP general purpose transistor1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Feb 28Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC807FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

 9.3. Size:123K  philips
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC807DSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC807DSFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO colle

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SB204 | 2N507 | 2SA1382 | BLW22 | 2SD1664R | NKT13329 | RT2P09M

 

 
Back to Top

 


 
.