DWC309 - описание и поиск аналогов

 

DWC309. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DWC309

Маркировка: 7P

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для DWC309

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DWC309 даташит

 9.1. Size:289K  first silicon
 dwc301-dwc311 dwc317 dwc322 dwc323.pdf pdf_icon

DWC309

SEMICONDUCTOR DWC301 311 TECHNICAL DATA DWC317, 322, 323 Dual Bias ResistorTransistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resistor. These 6 5 digital transistors are designed to

Другие транзисторы: DWC301, DWC302, DWC303, DWC304, DWC305, DWC306, DWC307, DWC308, BC558, DWC310, DWC311, DWC317, DWC322, DWC323, FFB2222AD, FFB3904D, FFB3946D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.