FTC1318 - описание и поиск аналогов

 

FTC1318. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTC1318

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для FTC1318

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC1318 даташит

 ..1. Size:343K  first silicon
 ftc1318.pdf pdf_icon

FTC1318

SEMICONDUCTOR FTC1318 TECHNICAL DATA FTC1318 TRANSISTOR (NPN) B C FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Complementary Pair with FTA720 DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 Symbol Parameter Value Unit G 0.85 H 0.45 VCBO Collector-Base Voltage 60 V

Другие транзисторы: FTB5240, FTB649A, FTB772, FTB772D, FTB772F, FTB834, FTC1008, FTC1027, 2N5401, FTC1675, FTC1815, FTC2316, FTC2328A, FTC2330, FTC2383, FTC2411K, FTC2412K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.