Биполярный транзистор FTC3200
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTC3200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для FTC3200
FTC3200
Datasheet (PDF)
..1. Size:291K first silicon
ftc3200.pdf 
SEMICONDUCTORFTC3200TECHNICAL DATAB CDIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_HJ 14.00 + 0.50L 2.30F FM 0.51 MAX1 2 3 1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASETO-922013. 08. 05 Revision No : 0 1/2AJCLMFTC32002013. 08. 05 Revision No : 0 2/2
8.1. Size:185K first silicon
ftc3202.pdf 
SEMICONDUCTORFTC3202TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconB CFEATURE DIM MILLIMETERSComplementary PNP Type available (FTA1270)A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45Parameter Symbol Value Units _HJ 14.00 0.50+L 2.30F FVCBO Collector-Base Voltage 35 V
8.2. Size:218K first silicon
ftc3203.pdf 
SEMICONDUCTORFTC3203TECHNICAL DATAB CFTC3203 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to FTA1271 A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAXE 1.00F 1.27Symbol Parameter Value Unit G 0.85H 0.45VCBO Collector-Base Voltage 35 V _HJ 14.00 0.50+L 2.30F FVCEO Collector-Emitter Volt
9.1. Size:101K first silicon
ftc3227 to92l.pdf 
SEMICONDUCTORFTC3227 TECHNICAL DATATO 92L FTC3227 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES Complementary to FTA1274 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 0.4 A PC Collector Power Dissipa
9.2. Size:218K first silicon
ftc3265.pdf 
SEMICONDUCTORFTC3265TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. FEATURES High DC Current Gain : hFE=100~320. Low Saturation Voltage3: VCE(sat)=0.4V(Max.) (IC=500mA, IB=20mA).Suitable for Driver Stage of Small Motor.2Complementary to FTA1298.1Small Package.SOT 23MAXIMUM RATING (Ta=25)CH
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
