Биполярный транзистор FTC3203 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTC3203
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
FTC3203 Datasheet (PDF)
ftc3203.pdf
SEMICONDUCTORFTC3203TECHNICAL DATAB CFTC3203 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to FTA1271 A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAXE 1.00F 1.27Symbol Parameter Value Unit G 0.85H 0.45VCBO Collector-Base Voltage 35 V _HJ 14.00 0.50+L 2.30F FVCEO Collector-Emitter Volt
ftc3200.pdf
SEMICONDUCTORFTC3200TECHNICAL DATAB CDIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_HJ 14.00 + 0.50L 2.30F FM 0.51 MAX1 2 3 1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASETO-922013. 08. 05 Revision No : 0 1/2AJCLMFTC32002013. 08. 05 Revision No : 0 2/2
ftc3202.pdf
SEMICONDUCTORFTC3202TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconB CFEATURE DIM MILLIMETERSComplementary PNP Type available (FTA1270)A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45Parameter Symbol Value Units _HJ 14.00 0.50+L 2.30F FVCBO Collector-Base Voltage 35 V
ftc3227 to92l.pdf
SEMICONDUCTORFTC3227 TECHNICAL DATATO 92L FTC3227 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES Complementary to FTA1274 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 0.4 A PC Collector Power Dissipa
ftc3265.pdf
SEMICONDUCTORFTC3265TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. FEATURES High DC Current Gain : hFE=100~320. Low Saturation Voltage3: VCE(sat)=0.4V(Max.) (IC=500mA, IB=20mA).Suitable for Driver Stage of Small Motor.2Complementary to FTA1298.1Small Package.SOT 23MAXIMUM RATING (Ta=25)CH
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050