FTC3265 - описание и поиск аналогов

 

FTC3265. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTC3265

Маркировка: HK1O_HK1Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FTC3265

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC3265 даташит

 ..1. Size:218K  first silicon
ftc3265.pdfpdf_icon

FTC3265

SEMICONDUCTOR FTC3265 TECHNICAL DATA General Purpose Transistors LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. FEATURES High DC Current Gain hFE=100 320. Low Saturation Voltage 3 VCE(sat)=0.4V(Max.) (IC=500mA, IB=20mA). Suitable for Driver Stage of Small Motor. 2 Complementary to FTA1298. 1 Small Package. SOT 23 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CH

 9.1. Size:291K  first silicon
ftc3200.pdfpdf_icon

FTC3265

SEMICONDUCTOR FTC3200 TECHNICAL DATA B C DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F M 0.51 MAX 1 2 3 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE TO-92 2013. 08. 05 Revision No 0 1/2 A J C L M FTC3200 2013. 08. 05 Revision No 0 2/2

 9.2. Size:185K  first silicon
ftc3202.pdfpdf_icon

FTC3265

SEMICONDUCTOR FTC3202 TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon B C FEATURE DIM MILLIMETERS Complementary PNP Type available (FTA1270) A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) F 1.27 G 0.85 H 0.45 Parameter Symbol Value Units _ H J 14.00 0.50 + L 2.30 F F VCBO Collector-Base Voltage 35 V

 9.3. Size:218K  first silicon
ftc3203.pdfpdf_icon

FTC3265

SEMICONDUCTOR FTC3203 TECHNICAL DATA B C FTC3203 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to FTA1271 A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 Symbol Parameter Value Unit G 0.85 H 0.45 VCBO Collector-Base Voltage 35 V _ H J 14.00 0.50 + L 2.30 F F VCEO Collector-Emitter Volt

Другие транзисторы: FTC2878, FTC2983, FTC3198, FTC3199, FTC3200, FTC3202, FTC3203, FTC3227, 2SD718, FTC3303, FTC3356, FTC3356U, FTC3837, FTC3876, FTC3880, FTC4081, FTC4083

 

 

 

 

↑ Back to Top
.