FTC3265. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FTC3265
Маркировка: HK1O_HK1Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для FTC3265
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FTC3265 даташит
ftc3265.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3265 TECHNICAL DATA General Purpose Transistors LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. FEATURES High DC Current Gain hFE=100 320. Low Saturation Voltage 3 VCE(sat)=0.4V(Max.) (IC=500mA, IB=20mA). Suitable for Driver Stage of Small Motor. 2 Complementary to FTA1298. 1 Small Package. SOT 23 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CH
ftc3200.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3200 TECHNICAL DATA B C DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F M 0.51 MAX 1 2 3 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE TO-92 2013. 08. 05 Revision No 0 1/2 A J C L M FTC3200 2013. 08. 05 Revision No 0 2/2
ftc3202.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3202 TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon B C FEATURE DIM MILLIMETERS Complementary PNP Type available (FTA1270) A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) F 1.27 G 0.85 H 0.45 Parameter Symbol Value Units _ H J 14.00 0.50 + L 2.30 F F VCBO Collector-Base Voltage 35 V
ftc3203.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3203 TECHNICAL DATA B C FTC3203 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DIM MILLIMETERS Complementary to FTA1271 A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 Symbol Parameter Value Unit G 0.85 H 0.45 VCBO Collector-Base Voltage 35 V _ H J 14.00 0.50 + L 2.30 F F VCEO Collector-Emitter Volt
Другие транзисторы: FTC2878, FTC2983, FTC3198, FTC3199, FTC3200, FTC3202, FTC3203, FTC3227, 2SD718, FTC3303, FTC3356, FTC3356U, FTC3837, FTC3876, FTC3880, FTC4081, FTC4083
History: KTD1003A | 2SC3392
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611
