FTC4374 - описание и поиск аналогов

 

FTC4374. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTC4374

Маркировка: EO_EY

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для FTC4374

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC4374 даташит

 ..1. Size:81K  first silicon
ftc4374.pdfpdf_icon

FTC4374

SEMICONDUCTOR FTC4374 TECHNICAL DATA FEATURES Complementary to FTA1662 A C H G MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) D Symbol Parameter Value Units D K VCBO Collector-Base Voltage 80 V F F DIM MILLIMETERS VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX IC Collecto

 8.1. Size:86K  first silicon
ftc4375.pdfpdf_icon

FTC4374

SEMICONDUCTOR FTC4375 TECHNICAL DATA FEATURES A C SOT-89 NPN Transistor H G MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) D D K Symbol Parameter Value Units F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX VCBO Collector-Base Voltage 30 V _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

 8.2. Size:165K  first silicon
ftc4378.pdfpdf_icon

FTC4374

SEMICONDUCTOR FTC4378 TECHNICAL DATA A C H G FTC4378 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High voltage F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 Symbol Parameter Value Unit G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN VCBO Collector-Base Volt

 8.3. Size:370K  first silicon
ftc4377.pdfpdf_icon

FTC4374

SEMICONDUCTOR FTC4377 TECHNICAL DATA FTC4377 TRANSISTOR (NPN) A C H G FEATURES Low voltage Low Vce(sat) 0.5V Max (Ic=2A, IB=0.05A) D D K F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Symbol Parameter Value Unit E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 VCBO Collector-Base Voltage 30 V G 0.40

Другие транзисторы: FTC3837, FTC3876, FTC3880, FTC4081, FTC4083, FTC4226, FTC4370A, FTC4373, A940, FTC4375, FTC4376, FTC4377, FTC4378, FTC4379, FTC4617, FTC8050, FTC8050H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.