FTD4240 - описание и поиск аналогов

 

FTD4240. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD4240

Маркировка: ZE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FTD4240

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD4240 даташит

 ..1. Size:167K  first silicon
 ftd4240.pdf pdf_icon

FTD4240

SEMICONDUCTOR FTD4240 TECHNICAL DATA General Purpose Transistors 40V,2A Low VCE(sat) NPN Silicon FEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat generation 3 Replacement for SOT89/SOT-223 standard packaged transistors. 2 We declare that the material of product compliance with RoHS require

Другие транзисторы: FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F, FTD2097, FTD2098, FTD2114K, FTD2118, 2N4401, FTD880, FTD882, FTD882D, FTD882F, MJD122I, MJE13002B, MJE13003A, MJE13003I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.