13001-0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13001-0

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92T

 Аналоги (замена) для 13001-0

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13001-0 даташит

 ..1. Size:105K  jdsemi
 13001-0.pdf pdf_icon

13001-0

 8.1. Size:191K  utc
 mje13001-p.pdf pdf_icon

13001-0

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13001-P NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES * Collector-base voltage V(BR)CBO=600V * Collector current IC=0.2A ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 MJE13001-PL-x-T92-B MJE13001-PG-x-T92-B TO-92 B C E Tape Box MJE13001-PL-x-T92-K MJE13001-PG-x-T92-K

 8.2. Size:107K  jdsemi
 13001-a.pdf pdf_icon

13001-0

 8.3. Size:109K  jdsemi
 13001-2.pdf pdf_icon

13001-0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: WPT2F06, WPT2E33, WPT2F30, WPT2N32, WPT2N31, 13005, 13007, 13009, 2SD313, 13001-2, 13001-A, 13003AD, 13003B, 13005A, 13005AD, 13005ADL, 13005D