BU103BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU103BD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BU103BD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU103BD даташит

 ..1. Size:111K  jdsemi
 bu103bd.pdf pdf_icon

BU103BD

 8.1. Size:107K  jdsemi
 bu103bh.pdf pdf_icon

BU103BD

R BU103BH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 High voltage capa

 9.1. Size:110K  jdsemi
 dbu103t.pdf pdf_icon

BU103BD

R DBU103T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 9.2. Size:111K  jdsemi
 bu103ad.pdf pdf_icon

BU103BD

R BU103AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3866SF, B647, B772P, B772PC, BU102D, BU102S, BU103AD, BU103AH, BC547B, BU103BH, BU103DH, BU13003D, BU13003F, BU202ADL, BU202DL, BU203DL, BU206DL