BU13003D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU13003D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BU13003D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU13003D даташит

 ..1. Size:110K  jdsemi
 bu13003d.pdf pdf_icon

BU13003D

 7.1. Size:120K  jdsemi
 bu13003f.pdf pdf_icon

BU13003D

 7.2. Size:162K  winsemi
 sbu13003bd.pdf pdf_icon

BU13003D

SBU13003BD High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability 1.Base Wide Reverse Bias SOA 3.Emitter General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Rat

Другие транзисторы: B772PC, BU102D, BU102S, BU103AD, BU103AH, BU103BD, BU103BH, BU103DH, MPSA42, BU13003F, BU202ADL, BU202DL, BU203DL, BU206DL, BU3150AF, BU3150BF, BU3150F