H13003DL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H13003DL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126D

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H13003DL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H13003DL даташит

 ..1. Size:117K  jdsemi
 h13003dl.pdf pdf_icon

H13003DL

 7.1. Size:116K  jdsemi
 h13003d 2.pdf pdf_icon

H13003DL

R H13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 7.2. Size:117K  jdsemi
 h13003d.pdf pdf_icon

H13003DL

R H13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 7.3. Size:117K  jdsemi
 h13003d 3.pdf pdf_icon

H13003DL

R H13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DK55ED, DK55SD, E13005SDL, H13003, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, 2N3906, H13003H, H13005, H13005ADL, H13005D, H13005DL, H6084B, J13003, P13003