H13005DL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H13005DL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 47 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT82

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H13005DL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H13005DL даташит

 ..1. Size:120K  jdsemi
h13005dl.pdfpdf_icon

H13005DL

 7.1. Size:118K  jdsemi
h13005d 2.pdfpdf_icon

H13005DL

R H13005D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 7.2. Size:118K  jdsemi
h13005d.pdfpdf_icon

H13005DL

R H13005D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 8.1. Size:144K  shantou-huashan
ksh13005w.pdfpdf_icon

H13005DL

Другие транзисторы: H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL, H13003H, H13005, H13005ADL, H13005D, 13003, H6084B, J13003, P13003, P13003D, P13009, P13009A, P1488, S13003