S13003DL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S13003DL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 22 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126D TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для S13003DL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S13003DL даташит

 ..1. Size:118K  jdsemi
 s13003dl 2.pdf pdf_icon

S13003DL

 ..2. Size:118K  jdsemi
 s13003dl.pdf pdf_icon

S13003DL

 8.1. Size:399K  taiwansemi
 ts13003bct.pdf pdf_icon

S13003DL

TS13003B High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

 8.2. Size:441K  taiwansemi
 ts13003mv.pdf pdf_icon

S13003DL

TS13003MV High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 800V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: P13009A, P1488, S13003, S13003A, S13003AD, S13003A-D, S13003AD-H, S13003ADL, BC546, S13005A, S13005ED, 3DD127_D3, 3DD127_D5, 3DD127D, 3DD128_A8D, 3DD128_Y8D, 3DD128F