Биполярный транзистор 3DD128F_H6D Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD128F_H6D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126
Аналог (замена) для 3DD128F_H6D
3DD128F_H6D Datasheet (PDF)
3dd128f h6d.pdf

NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128f h8d.pdf

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128f h5d.pdf

NPN R 3DD128F H5D 3DD128F H5D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128f h3d.pdf

NPN R 3DD128F H3D 3DD128F H3D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 40 W
Другие транзисторы... 3DD127_D5 , 3DD127D , 3DD128_A8D , 3DD128_Y8D , 3DD128F , 3DD128F_A7D , 3DD128F_H3D , 3DD128F_H5D , C3198 , 3DD128F_H8D , 3DD13001_A1 , 3DD13002_B1 , 3DD13002_B1-7 , 3DD13002_RUD , 3DD13003_E6D , 3DD13003_F1D , 3DD13003_F3D .
History: NB123F
History: NB123F



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent