3DD128F_H6D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD128F_H6D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD128F_H6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD128F_H6D даташит

 ..1. Size:150K  crhj
3dd128f h6d.pdfpdf_icon

3DD128F_H6D

 5.1. Size:155K  crhj
3dd128f h8d.pdfpdf_icon

3DD128F_H6D

 5.2. Size:148K  crhj
3dd128f h5d.pdfpdf_icon

3DD128F_H6D

 5.3. Size:148K  crhj
3dd128f h3d.pdfpdf_icon

3DD128F_H6D

Другие транзисторы: 3DD127_D5, 3DD127D, 3DD128_A8D, 3DD128_Y8D, 3DD128F, 3DD128F_A7D, 3DD128F_H3D, 3DD128F_H5D, 9014, 3DD128F_H8D, 3DD13001_A1, 3DD13002_B1, 3DD13002_B1-7, 3DD13002_RUD, 3DD13003_E6D, 3DD13003_F1D, 3DD13003_F3D