Биполярный транзистор 3DD13002_B1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13002_B1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD13002_B1
3DD13002_B1 Datasheet (PDF)
3dd13002 b1.pdf
NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13002 b1-7.pdf
NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W
3dd13002 rud.pdf
NPN R 3DD13002 RUD 3DD13003 RUD VCEO 200 V NPN IC 1 A Ptot Ta=25 0.5 W
3dd13002.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13002 TRANSISTOR (NPN) TO-251-3L TO-252-2L FEATURE 1 2 3 power switching applications 1. BASE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 2. COLLECTOR Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector -Base Voltage 600 V 3. EMITTER 1 VCEO Collector-Emi
3dd13002b.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13002B TRANSISTORNPN TO-92 FEATURE Power Switching Applications 1.EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit 13002B=Device code 13002B Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal deviceXXX=Code 1ORDERING INFORMATION Par
3dd13002.pdf
3DD13002(NPN) TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted TO-252-2LSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 1 A PC Collector
3dd13002b.pdf
3DD13002B(NPN) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 4.45 5.21 2. COLLECTOR 3. BASE 4.322.92 5.33MINFeatures power switching applications 3.43MIN 2.412.67MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.18Symbol Parameter Value Units2.034.192.67VCBO Collector-Base Voltage 600 V 1.141.402.03VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67
3dd13002b.pdf
3DD13002BSwitch Mode NPN TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating SymbolValue UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 400 VdcCollector-Base Voltage VCBO 600VdcEmitter-Base VOltage VEBO6.0 VdcCollector Current IC1.0 AdcPD 1.0Total Device Dissipation T =25 C WAJunction Temperature T 150j CStorage, Tempera
3dd13002s.pdf
NPN WSRs_sQvfSO{HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORR3DD13002S ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package IC 1.2AVCEO 400VPC(TO-92) 1WPC(TO-126(S)) 20W(u APPLICATIONS TO-92
br3dd13002dg1k.pdf
MJE13002DG1(BR3DD13002DG1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications High freque
br3dd13002e1k.pdf
MJE13002E1(BR3DD13002E1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications High frequenc
3dd13002b1-7.pdf
NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W
3dd13002r1d.pdf
NPN R 3DD13002 R1D 3DD13003 R1D VCEO 200 V NPN IC 1 A Ptot Ta=25 0.7 W
3dd13002b1.pdf
NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13002b1d.pdf
NPN R 3DD13002 B1D 3DD13002 B1D VCEO 400 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13002rud.pdf
NPN R 3DD13002 RUD 3DD13003 RUD VCEO 200 V NPN IC 1 A Ptot Ta=25 0.5 W
3dd13002.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors3DD130021.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=1A Collector Emitter Voltage VCEO=400V Power Switching Applications0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 600 Collector - Emitter Voltage VCEO 400 V Emitt
3dd13002b1.pdf
NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050