3DD13003_H1D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DD13003_H1D 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DD13003_H1D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD13003_H1D даташит
3dd13003 to-220-3l.pdf
3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou
Другие транзисторы: 3DD13001_A1, 3DD13002_B1, 3DD13002_B1-7, 3DD13002_RUD, 3DD13003_E6D, 3DD13003_F1D, 3DD13003_F3D, 3DD13003_F6D, D209L, 3DD13003_H6D, 3DD13003_H8D, 3DD13003_J6D, 3DD13003_J8D, 3DD13003_K6, 3DD13003_K8, 3DD13003_M6D, 3DD13003_M8D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor