Справочник транзисторов. 3DD13003_H1D

 

Биполярный транзистор 3DD13003_H1D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003_H1D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003_H1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  crhj
3dd13003 h1d.pdfpdf_icon

3DD13003_H1D

NPN R 3DD13003 H1D 3DD13003 H1D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 4.1. Size:152K  crhj
3dd13003 h8d.pdfpdf_icon

3DD13003_H1D

NPN R 3DD13003 H8D 3DD13003 H8D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W

 4.2. Size:153K  crhj
3dd13003 h6d.pdfpdf_icon

3DD13003_H1D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

 5.1. Size:246K  lge
3dd13003 to-220-3l.pdfpdf_icon

3DD13003_H1D

3DD13003(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MRF654 | BC33716TFR | 2SA1837 | 2SC3426 | 2N3636UB

 

 
Back to Top

 


 
.