3DD13003_U6D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003_U6D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003_U6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003_U6D даташит

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd13003 u6d.pdf pdf_icon

3DD13003_U6D

 4.1. Size:183K  crhj
 3dd13003 u1d.pdf pdf_icon

3DD13003_U6D

NPN R 3DD13003 U1D 3DD13003 U1D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 4.2. Size:148K  crhj
 3dd13003 u3d.pdf pdf_icon

3DD13003_U6D

NPN R 3DD13003 U3D 3DD13003 U3D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 30 W

 5.1. Size:246K  lge
 3dd13003 to-220-3l.pdf pdf_icon

3DD13003_U6D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13003_K6, 3DD13003_K8, 3DD13003_M6D, 3DD13003_M8D, 3DD13003_S1D, 3DD13003_SUD, 3DD13003_U1D, 3DD13003_U3D, 2SD669, 3DD13003_V1D, 3DD13003_V6D, 3DD13003_VUD, 3DD13003_W3D, 3DD13003_W6D, 3DD13003_X1, 3DD13003D, 3DD13003E1D