3DD13003_W3D datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DD13003_W3D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003_W3D 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO251

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DD13003_W3D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

3DD13003_W3D даташит

..1. Size:148K crhj
3dd13003 w3d.pdf pdf_icon

4.1. Size:153K crhj
3dd13003 w6d.pdf pdf_icon

5.1. Size:246K lge
3dd13003 to-220-3l.pdf pdf_icon

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

5.2. Size:205K lge
3dd13003 to-126.pdf pdf_icon

3DD13003(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Symbol Parameter Value Units 1.500 VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.900 3.000 4.100 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.200 10.600 0.000 VEBO Emitter-Base V