Справочник транзисторов. 3DD13003D

 

Биполярный транзистор 3DD13003D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003D Datasheet (PDF)

 6.1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003D

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADMillimeter REF. Min. Max. BA 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E CF 0.36 0.51 FG 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

 6.2. Size:711K  jiangsu
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003D

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13003B TRANSISTOR( NPN ) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES 3. BASE power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Vol

 6.3. Size:5166K  jiangsu
3dd13003.pdfpdf_icon

3DD13003D

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13003 TRANSISTOR ( NPN ) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Power Switching Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base V

 6.4. Size:812K  jiangsu
3dd13003n3.pdfpdf_icon

3DD13003D

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistor3DD13003N3 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1 . BASE Power switching applications Good high temperature2. COLLECTOR Low saturation voltage3. EMITTER High speed switching Equivalent Circuit Logo13003N3=Device code 13003N3ORDERING INFORMATION Part Number Package Packi

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TN4140 | BSW75 | 3DD13005_B3 | 2SD389A | KRX105E | 2SD1885C

 

 
Back to Top

 


 
.