3DD13005_B5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005_B5  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005_B5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005_B5 даташит

 ..1. Size:150K  crhj
 3dd13005 b5.pdf pdf_icon

3DD13005_B5

 4.1. Size:147K  crhj
 3dd13005 b3.pdf pdf_icon

3DD13005_B5

 5.1. Size:152K  crhj
 3dd13005 c9d.pdf pdf_icon

3DD13005_B5

NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:154K  crhj
 3dd13005 n8d.pdf pdf_icon

3DD13005_B5

NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13003D, 3DD13003E1D, 3DD13003J7D, 3DD13003W1D, 3DD13005_A1, 3DD13005_A3, 3DD13005_A7, 3DD13005_B3, A42, 3DD13005_C3D, 3DD13005_C7D, 3DD13005_C8D, 3DD13005_C9D, 3DD13005_F7, 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, 3DD13005_F9-1