Справочник транзисторов. 2N1232

 

Биполярный транзистор 2N1232 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N1232
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1232

 

 

2N1232 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:328K  general electric
2n123.pdf

2N1232

Другие транзисторы... 2N1225 , 2N1226 , 2N1227 , 2N1228 , 2N1229 , 2N123 , 2N1230 , 2N1231 , 4124 , 2N1232A , 2N1233 , 2N1234 , 2N1235 , 2N123-5 , 2N1238 , 2N1239 , 2N123A .

 

 
Back to Top