3DD13005_C8D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DD13005_C8D 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220AB
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DD13005_C8D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD13005_C8D даташит
3dd13005 c8d.pdf
NPN R 3DD13005 C8D 3DD13005 C8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005 c9d.pdf
NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005 c7d.pdf
NPN R 3DD13005 C7D 3DD13005 C7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
3dd13005 c3d.pdf
NPN R 3DD13005 C3D 3DD13005 C3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W
Другие транзисторы: 3DD13003W1D, 3DD13005_A1, 3DD13005_A3, 3DD13005_A7, 3DD13005_B3, 3DD13005_B5, 3DD13005_C3D, 3DD13005_C7D, BDT88, 3DD13005_C9D, 3DD13005_F7, 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, 3DD13005_F9-1, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet




