3DD13005_F7 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DD13005_F7 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO126F
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DD13005_F7
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD13005_F7 даташит
Другие транзисторы: 3DD13005_A3, 3DD13005_A7, 3DD13005_B3, 3DD13005_B5, 3DD13005_C3D, 3DD13005_C7D, 3DD13005_C8D, 3DD13005_C9D, BC547, 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, 3DD13005_F9-1, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D
History: TIP74C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet




