3DD13005_F9-1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005_F9-1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005_F9-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005_F9-1 даташит

 ..1. Size:162K  crhj
 3dd13005 f9-1.pdf pdf_icon

3DD13005_F9-1

 4.1. Size:170K  crhj
 3dd13005 f8-1.pdf pdf_icon

3DD13005_F9-1

 4.2. Size:147K  crhj
 3dd13005 f7.pdf pdf_icon

3DD13005_F9-1

 4.3. Size:154K  crhj
 3dd13005 f8.pdf pdf_icon

3DD13005_F9-1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005_B5, 3DD13005_C3D, 3DD13005_C7D, 3DD13005_C8D, 3DD13005_C9D, 3DD13005_F7, 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, BD139, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D, 3DD13005_N8D, 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8