Биполярный транзистор 3DD13005_G8D Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD13005_G8D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220AB
Аналог (замена) для 3DD13005_G8D
3DD13005_G8D Datasheet (PDF)
3dd13005 g8d.pdf
NPN R 3DD13005 G8D 3DD13005 G8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 75
3dd13005 grd.pdf
NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005 g3d.pdf
NPN R 3DD13005 G3D 3DD13005 G3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 40
3dd13005 g7d.pdf
NPN R 3DD13005 G7D 3DD13005 G7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 50
Другие транзисторы... 3DD13005_C8D , 3DD13005_C9D , 3DD13005_F7 , 3DD13005_F8 , 3DD13005_F8-1 , 3DD13005_F9-1 , 3DD13005_G3D , 3DD13005_G7D , AC125 , 3DD13005_GRD , 3DD13005_N7D , 3DD13005_N8D , 3DD13005_P8D , 3DD13007_B8 , 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735