3DD13005_G8D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005_G8D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005_G8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005_G8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd13005 g8d.pdf pdf_icon

3DD13005_G8D

NPN R 3DD13005 G8D 3DD13005 G8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 75

 4.1. Size:155K  crhj
 3dd13005 grd.pdf pdf_icon

3DD13005_G8D

NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 4.2. Size:146K  crhj
 3dd13005 g3d.pdf pdf_icon

3DD13005_G8D

NPN R 3DD13005 G3D 3DD13005 G3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 40

 4.3. Size:148K  crhj
 3dd13005 g7d.pdf pdf_icon

3DD13005_G8D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005_C8D, 3DD13005_C9D, 3DD13005_F7, 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, 3DD13005_F9-1, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 2N5551, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D, 3DD13005_N8D, 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8, 3DD13007_H8D, 3DD13007_X1, 3DD13007_Y8