3DD13005_N8D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005_N8D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005_N8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005_N8D даташит

 ..1. Size:154K  crhj
 3dd13005 n8d.pdf pdf_icon

3DD13005_N8D

NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 4.1. Size:153K  crhj
 3dd13005 n7d.pdf pdf_icon

3DD13005_N8D

NPN R 3DD13005 N7D 3DD13005 N7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W

 5.1. Size:152K  crhj
 3dd13005 c9d.pdf pdf_icon

3DD13005_N8D

NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:147K  crhj
 3dd13005 b3.pdf pdf_icon

3DD13005_N8D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005_F8, 3DD13005_F8-1, 3DD13005_F9-1, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D, 2N5401, 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8, 3DD13007_H8D, 3DD13007_X1, 3DD13007_Y8, 3DD13007_Z7, 3DD13007_Z8, 3DD13007_B8D