Справочник транзисторов. 3DD13007_H8D

 

Биполярный транзистор 3DD13007_H8D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD13007_H8D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13007_H8D

 

 

3DD13007_H8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13007 h8d.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90

 5.1. Size:154K  crhj
3dd13007 z8.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:155K  crhj
3dd13007 b8.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.3. Size:151K  crhj
3dd13007 z7.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

 5.4. Size:153K  crhj
3dd13007 x1.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.5. Size:154K  crhj
3dd13007 b8d.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 B8D 3DD13007 B8D NPN VCEO 400 V IC 7 A Ptot TC=25 80 W

 5.6. Size:153K  crhj
3dd13007 y8.pdf

3DD13007_H8D
3DD13007_H8D

NPN R 3DD13007 Y8 3DD13007 Y8 NPN VCEO 340 V IC 7 A Ptot W TC=25 80

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top