3DD13007_X1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13007_X1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13007_X1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13007_X1 даташит

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd13007 x1.pdf pdf_icon

3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.1. Size:154K  crhj
 3dd13007 z8.pdf pdf_icon

3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:155K  crhj
 3dd13007 b8.pdf pdf_icon

3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.3. Size:151K  crhj
 3dd13007 z7.pdf pdf_icon

3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D, 3DD13005_N8D, 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8, 3DD13007_H8D, C5198, 3DD13007_Y8, 3DD13007_Z7, 3DD13007_Z8, 3DD13007_B8D, 3DD13009_A8, 3DD13009_AN, 3DD13009_C8, 3DD13009_X8D