Справочник транзисторов. 3DD13007_X1

 

Биполярный транзистор 3DD13007_X1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD13007_X1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13007_X1

 

 

3DD13007_X1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  crhj
3dd13007 x1.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.1. Size:154K  crhj
3dd13007 z8.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:155K  crhj
3dd13007 b8.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.3. Size:151K  crhj
3dd13007 z7.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

 5.4. Size:155K  crhj
3dd13007 h8d.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90

 5.5. Size:154K  crhj
3dd13007 b8d.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 B8D 3DD13007 B8D NPN VCEO 400 V IC 7 A Ptot TC=25 80 W

 5.6. Size:153K  crhj
3dd13007 y8.pdf

3DD13007_X1
3DD13007_X1

NPN R 3DD13007 Y8 3DD13007 Y8 NPN VCEO 340 V IC 7 A Ptot W TC=25 80

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 

Back to Top