Справочник транзисторов. 3DD13007_Z8

 

Биполярный транзистор 3DD13007_Z8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD13007_Z8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13007_Z8

 

 

3DD13007_Z8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  crhj
3dd13007 z8.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 4.1. Size:151K  crhj
3dd13007 z7.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

 5.1. Size:155K  crhj
3dd13007 b8.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.2. Size:153K  crhj
3dd13007 x1.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.3. Size:155K  crhj
3dd13007 h8d.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90

 5.4. Size:154K  crhj
3dd13007 b8d.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 B8D 3DD13007 B8D NPN VCEO 400 V IC 7 A Ptot TC=25 80 W

 5.5. Size:153K  crhj
3dd13007 y8.pdf

3DD13007_Z8
3DD13007_Z8

NPN R 3DD13007 Y8 3DD13007 Y8 NPN VCEO 340 V IC 7 A Ptot W TC=25 80

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top